IGBT向けドライブトランス
近年, パワーエレクトロニクスは電気エネルギーの創出、分配および変換において決定的な影響を持ちます。現代の半導体は電気エネルギーの低ロスで速やか、かつ安全な制御および変換を可能とします。この分野の発展に重要な貢献をしているのがIGBT, MOSFETおよびGTOのようなパワー半導体です。VACの製品は半導体スイッチングにおける効率と安全性の維持、低ロスのパワー伝達に大きく貢献します。
- 絶縁電圧 ～380 Vrms
- 絶縁電圧 ～500 Vrms
- 絶縁電圧 600 Vrms～2000 Vrms
- IEC61558に準拠（VDEによる認証）
- Infineon社製 EconoDUAL™ 3 Series 専用
パワートランス
今日の産業界においては、電気機器や設備に電源を供給する際に、ほとんどの場合、スイッチング電源が使われています。スイッチング電源は一つ、複数のDC出力を供給します。
基本的な違いは変換原理の種類によります。ほとんどの場合容量に応じて、次の3つのうち1つのスイッチングモードが使われます。すなわち、フライバック方式（約500Wまで）、シングルエンデッドフォワード方式（約1000Wまで）あるいはプッシュプル方式（kWクラス）のいずれかです。
- 100kWまでのパワー・トランスフォーマー
- パワー・トランスフォーマー用コア